Exynos 9820 se blíží. Bude nakonec výkonnější, než A11 od Applu?

Exynos 9820 se blíží. Bude nakonec výkonnější, než A11 od Applu? | foto: www.samsung.com

Nový procesor Samsungu bude mít brutální výkon

  • 14
Samsung v tempu uvádění nových smartphonů nijak nepolevuje, nezahálí však ani vývoj vlastních čipových sad. Poměrně známý čínský insider s přezdívkou Ice Universe odhalil základní parametry chystaného vrcholového typu Exynos 9820. Bude velmi výkonný.

Nový exynos má opět disponovat osmijádrovým procesorem a využívat konfigurace DynamIQ v režimu 2 + 2 + 4. Nejvýkonnější bude dvoujádro vlastní architektury Mongoose M4, které doplní rovněž velmi výkonná dvě jádra architektury Cortex-A76 nebo A75. Čtyřjádro typu A55 bude naproti tomu cílit na co možná nejúspornější chod a tedy co nejnižší odběr energie.

Maximální kmitočty jednotlivých jader zatím nejsou známy, ovšem jádra typu A76 mohou běžet prý až na 3,3 GHz. Není ovšem vyloučeno, že pro spolehlivější běh bude nejvyšší takt omezen blíže k hranici 3 GHz.

10.července 2018 v 05:12, příspěvek archivován: 18.července 2018 v 11:59

Samsung's next-generation Exynos 9820 will use the 2+2+4 DynamIQ architecture, 2xExynos M4 is the big core, 2xCortex-A75 (or A76) is the medium core, and 4xA55 is the small core. https://t.co/3T5AUbcWhV

Po procesoru je neméně důležitou součástí čipové sady grafická karta. U 9820 má být použita Mali-G76 MP18 (osmnáct jader), což bude první grafická jednotka vyráběná 7nm procesem. Za jejím designem stojí polovodičový gigant ARM Holdings, výroby se pak chopí tchajwanská společnost TSMC, v poslední době známá především coby dvorní dodavatel čipových sad Ax pro Apple.

Samsung prý už několik měsíců pracuje i na designu vlastní grafické jednotky, která by mohla časem zcela nahradit čipy Mali od ARM. První model bude určen smartphonům nižší třídy, postupně by jimi Samsung mohl osazovat celé své portfolio. Tím by zase o stupeň snížil závislost na externích dodavatelích. Odchod takto významného odběratele by společnost ARM nepříznivě pocítila na svých příjmech.

V prvním benchmarku to natřel čipu A11 od Applu. Byl to ale podvod

Toto měl být výsledek smartphonu s čipem Exynos 9820 v testu Geekbench. Jedná...

Nedávno se objevily výsledky v testu Geekbench, kdy měl být zkoušeným přístrojem chystaný Note 9, vybavený čipsetem Exynos 9820. Už to vzbuzovalo jistou nedůvěru, jelikož je s novým „zápisníkem“ skloňována stávající generace 9810. Je dosti nepravděpodobné, že by Samsung v jednom roce uvedl hned dvě generace svého čipsetu nejvyšší specifikace.

Právě informátor Ice Universe krátce po zveřejnění tabulku výsledků označil za falzifikát. Poznal to podle vypsaného identifikátoru, který poukazuje na starší typ čipsetu 8895. Nedůvěru vzbuzovala i nízká frekvence procesoru 1,69 GHz a velikost operační paměti, Note 9 totiž má mít 6 a nikoli 4 GB.

Samsung poskytne své procesory ostatním. Potápějící ZTE to však nespasí

Pokud by ale Exynos 9820 v reálu takový výkon skutečně vykázal, v Samsungu by mohli být spokojeni. Přes 12 tisíc bodů ve vícejádrovém módu totiž překonává výsledek Applu A11 o přibližně 2 tisíce bodů. V režimu jednoho jádra pak dosažených 4 100 bodů přibližně odpovídá výsledku dosud nejvýkonnějšího procesoru od Applu. Pro srovnání: Exynos 9810 v tomto testu dosahuje výsledku okolo 3 300 resp. 8 500 bodů.

Příští generace smartphonů s novým čipsetem i rychlými paměťmi

Exynos 9820 se tedy se vší pravděpodobností ukáže až v chystaném Galaxy S10. Premiéru by si však mohl odehrát už u dosud stále tajemného Galaxy X, tedy prvního smartphonu s ohebným displejem. Tuto výkladní skříň své techniky by totiž Samsung mohl podle dosavadních informací ukázat už v lednu v Las Vegas na veletrhu CES. S10 by pak měla být hlavní hvězdou barcelonského kongresu o necelé dva měsíce později.

V každém případě by oba tyto modely měly do vínku dostat i novou generaci paměťových modulů. Samsung totiž v minulých dnech oznámil start produkce 8Gb modulů typu LPDDR5, jež mezigeneračně poměrně zásadně zvyšují přenosové rychlosti.

Samsung co nevidět spustí výrobu nových paměťových modulů

Jestliže paměti typu LPDDR4X měly teoretickou rychlost 4 266 Mbps (533 MB/s), nová generace tento parametr navýší přibližně o polovinu na 6 400 Mbps (800 MB/s). Tato přenosová rychlost platí pro napájení 1,1 V, při nižším napětí 1,05 V klesá na stále značných 5 500 Mb/s.

Nižší naopak má být energetická náročnost takových čipů, v režimu spánku si mají nové moduly v porovnání s LPDDR4X vystačit s poloviční energií. V běžném operačním režimu by tak měla klesnout spotřeba přibližně o třetinu.

Nové rychlé paměti mají smysl především směrem k chystanému nástupu sítí 5G a také u aplikací, které pracují s umělou inteligencí.

Samsung už prý testuje 8GB moduly, sestávající z osmi gigabitových modulů. Výroba nových pamětí by se měla již brzy rozběhnout v jihokorejském městě Pchjongtchek, kde má Samsung jedno ze svých mnoha produkčních center.